据韩媒《ChosunBiz》当地时间 16 日报道盈亚配资盈亚配资盈亚配资，三星电子在其 4nm 制程 HBM4 内存逻辑芯片的初步测试生产中取得了 40% 的良率，这高于一般的 10% 起点，也好于此前同制程产品的不足 20%。
40% 只是一个初期成绩，未来会随着芯片制造的成熟逐步提高。而该百分比显示 4nm HBM4逻辑芯片的进一步开发有了较为稳定的基础。
三星电子在 HBM3 时期遭遇了重大挫折，将 70% 的 HBM 内存市场份额拱手送给主要竞争对手 SK 海力士，更是近年来首度让出了第一大 DRAM 原厂的宝座。这迫使三星在 HBM4 上采用较为激进的技术路线，以挽回局面。
三星电子将在 12Hi HBM4 中采用 1c nm DRAM 内存芯片和 4nm 逻辑芯片，虽然逻辑芯片端的初始成绩较为喜人，但 1c DRAM 方面似乎遇到了一些问题。
另一家韩媒《DealSite》当地时间昨日报道称盈亚配资，自 1z nm 时期开始出现的电容漏电问题正对三星 1c nm DRAM 的开发量产造成明显影响。三星试图通过适当放宽线宽等方式来改进电容器表现，但稳定性尚未达到预期水平，很可能会拖慢 1c nm 进度。
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